產(chǎn)品特點

1.基于硅烷體系薄膜沉積方案，可選TEOS 及硼磷摻雜工藝需求；
2.雙頻射頻系統(tǒng)，應力調(diào)節(jié)范圍更寬；
3.毫秒級精準參數(shù)控制，工藝控制精度高；
4.操作系統(tǒng)基于Windows進行研發(fā)的符合半導體標準軟件控制系統(tǒng)，操作人性化，符合國人操作習慣；
5.全自動晶圓工藝處理；
6.設備占地面積小，場地利用率高；
7.向下兼容4英寸Wafer；

應用領域

第三代半導體，功率半導體及LED芯片制造領域。