產(chǎn)品特點(diǎn)

1.基于硅烷體系薄膜沉積方案，可選TEOS 及硼磷摻雜工藝需求；
2.單腔體多工位設(shè)計(jì)，產(chǎn)能高；
3.獨(dú)立工位溫度控制，wafer 均勻性更好，膜質(zhì)更佳；
4.操作系統(tǒng)基于Windows進(jìn)行研發(fā)的符合半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)軟件控制系統(tǒng)，操作人性化，符合國人操作習(xí)慣；
5.噴淋頭工藝間距可直接調(diào)整，維護(hù)簡單，設(shè)備利用率高；
6.向下兼容6英寸Wafer；

應(yīng)用領(lǐng)域

主要應(yīng)用于集成電路邏輯芯片、功率器件、傳感器等集成電路領(lǐng)域，可以沉積SiO 2 、 SiN、 SiON等介質(zhì)材料薄膜。