ETCH 3210
自主研發(fā)8英寸的ICP反應離子蝕刻。
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描述
產品特點
1.設備采用ICP理念設計,采用雙射頻源,離子水平垂直方向獨立控制,蝕刻速率高,均勻性和形貌控制更換。
2.ESC 采用最新的multi-zone,coulomb型ESC,chuck wafer安全,多區(qū)域控溫可更精準控制wafer溫度,進一步優(yōu)化蝕刻均勻性。
3.腔體內部采用coating工藝,內部parts可根據客戶工藝進行配置,多種選擇,損耗更低。
4.自主研發(fā)的控制系統(tǒng),wafer傳輸更加安全高效,整機參數控制更精準。
5.絕大部分國產零部件大大降低了客戶后期的維護成本。
應用領域
主要應用邏輯和存儲芯片,如:CPU、GPU、SoC等。